Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN4R4-80PS,127
PSMN4R4-80PS,127

PSMN4R4-80PS,127 Nexperia USA Inc.

PSMN4R4-80PS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.71 грн
10+ 189.78 грн
100+ 153.52 грн
500+ 128.07 грн
1000+ 109.66 грн
2000+ 103.25 грн
5000+ 97.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R4-80PS,127 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN4R4-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 306W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PSMN4R4-80PS,127 за ціною від 103.48 грн до 290.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Виробник : NEXPERIA PSMN4R4-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.41 грн
3+ 198.2 грн
6+ 145.34 грн
16+ 137 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Виробник : Nexperia PSMN4R4_80PS-2938923.pdf MOSFET PSMN4R4-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.02 грн
10+ 221.88 грн
100+ 157.56 грн
500+ 134.19 грн
1000+ 112.83 грн
2500+ 107.49 грн
5000+ 103.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Виробник : NEXPERIA PSMN4R4-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+284.89 грн
3+ 246.98 грн
6+ 174.41 грн
16+ 164.4 грн
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R4-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 306W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+290.58 грн
10+ 232.92 грн
50+ 211.2 грн
100+ 175.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Виробник : NEXPERIA 4381156163145357psmn4r4-80ps.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній