на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.78 грн |
| 10+ | 66.79 грн |
| 100+ | 45.2 грн |
| 500+ | 38.32 грн |
| 1000+ | 31.24 грн |
| 1500+ | 31.11 грн |
| 3000+ | 27.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN5R0-40MSHX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A, Power dissipation: 83W, Case: LFPAK33; SOT1210, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Technology: NextPowerS3, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 62A, On-state resistance: 10.9mΩ, Gate charge: 29nC, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 349A, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції PSMN5R0-40MSHX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMN5R0-40MSHX | Виробник : NEXPERIA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NextPowerS3 Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A On-state resistance: 10.9mΩ Gate charge: 29nC Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 349A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |
||
 |
PSMN5R0-40MSHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 |
товар відсутній |
|
|
|
PSMN5R0-40MSHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 |
товар відсутній |
|
| PSMN5R0-40MSHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 62A; Idm: 349A Power dissipation: 83W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NextPowerS3 Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A On-state resistance: 10.9mΩ Gate charge: 29nC Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 349A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |