PSMN5R3-25MLDX

PSMN5R3-25MLDX Nexperia USA Inc.


PSMN5R3-25MLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R3-25MLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 15A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN5R3-25MLDX за ціною від 14.32 грн до 58.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX Виробник : Nexperia PSMN5R3_25MLD-2939086.pdf MOSFET PSMN5R3-25MLD/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.88 грн
10+ 42.73 грн
100+ 25.57 грн
500+ 21.38 грн
1000+ 18.58 грн
1500+ 15.72 грн
3000+ 14.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN5R3-25MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.43 грн
10+ 42.25 грн
100+ 29.27 грн
500+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX Виробник : NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+58.05 грн
16+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX Виробник : NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf Description: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX Виробник : NEXPERIA 854psmn5r3-25mld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
PSMN5R3-25MLDX Виробник : NEXPERIA PSMN5R3-25MLD.pdf PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
товар відсутній