PSMN6R0-30YLB,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 22.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN6R0-30YLB,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN6R0-30YLB,115 за ціною від 14.62 грн до 81.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN6R0-30YLB,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R0-30YLB,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 0.0055 ohm, SC-100, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.48V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 11210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN6R0-30YLB,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN6R0-30YLB,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN6R0-30YLB/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| PSMN6R0-30YLB,115 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 30V 71A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN6R0-30YLB,115 NEXPERIA TPSMN6r0-30ylb кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|