на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 39.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN8R2-80YS,115 за ціною від 33.06 грн до 122.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R2-80YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN8R2-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R2-80YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 25255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN8R2-80YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V |
на замовлення 17250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN8R2-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Pulsed drain current: 326A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN8R2-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Pulsed drain current: 326A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN8R2-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TSOT-669-5 Udss=80V; Id=82A; Pdmax=130W; Rds=0,0134 Ohm |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|