PSMN8R5-100ESQ NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 486+ | 41.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R5-100ESQ NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA PSMN8R5-100ESQ - 100A,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN8R5-100ESQ за ціною від 41.14 грн до 41.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R5-100ESQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXPERIA PSMN8R5-100ESQ - 100A, Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V |
на замовлення 36282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
PSMN8R5-100ESQ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
PSMN8R5-100ESQ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
товар відсутній |