PSMN8R5-100PSQ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.13 грн |
| 10+ | 154.72 грн |
| 100+ | 125.15 грн |
| 500+ | 104.4 грн |
| 1000+ | 89.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R5-100PSQ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMN8R5-100PSQ за ціною від 86.35 грн до 216.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R5-100PSQ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R5-100PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 4006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-100PSQ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-100PSQ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-100PSQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 429A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 429A Power dissipation: 263W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-100PSQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 429A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 429A Power dissipation: 263W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |