на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.82 грн |
| 10+ | 162.76 грн |
| 100+ | 113.49 грн |
| 500+ | 93.47 грн |
| 1000+ | 77.44 грн |
| 1500+ | 71.43 грн |
| 3000+ | 68.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R7-100YSFX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 198W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN8R7-100YSFX за ціною від 68.05 грн до 196.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R7-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 198W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 198W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN8R7-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PSMN8R7-100YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
PSMN8R7-100YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PSMN8R7-100YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj) Power Dissipation (Max): 198W Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V |
товар відсутній |