PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.91 грн |
| 4+ | 107.94 грн |
| 10+ | 80.82 грн |
| 28+ | 76.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN8R7-80PS,127 за ціною від 59.52 грн до 158.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R7-80PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V |
на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN8R7-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Pulsed drain current: 361A Power dissipation: 170W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R7-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R7-80PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R7-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
PSMN8R7-80PS,127 Код товару: 152615 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
PSMN8R7-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |