PSMNR51-25YLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 109.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR51-25YLHX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm.
Інші пропозиції PSMNR51-25YLHX за ціною від 94.32 грн до 219.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR51-25YLHX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMNR51-25YLH/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 14528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMNR51-25YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Power dissipation: 333W Technology: NextPowerS3 Drain current: 380A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.46mΩ Pulsed drain current: 2174A Gate charge: 186nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Power dissipation: 333W Technology: NextPowerS3 Drain current: 380A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.46mΩ Pulsed drain current: 2174A Gate charge: 186nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |