PSMNR58-30YLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 109.35 грн |
3000+ | 99.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR58-30YLHX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMNR58-30YLHX за ціною від 111.53 грн до 211.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMNR58-30YLHX | Виробник : Nexperia | MOSFET PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
PSMNR58-30YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V |
на замовлення 12922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
PSMNR58-30YLHX | Виробник : NEXPERIA | N-channel logic level MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||
PSMNR58-30YLHX | Виробник : NEXPERIA | PSMNR58-30YLHX SMD N channel transistors |
товар відсутній |