на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.74 грн |
| 10+ | 212.36 грн |
| 25+ | 174.04 грн |
| 100+ | 149.46 грн |
| 250+ | 140.82 грн |
| 500+ | 132.85 грн |
| 1000+ | 113.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR67-30YLEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMNR67-30YLEX за ціною від 125.83 грн до 264.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR67-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 365A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMNR67-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 365A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PSMNR67-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
N-Channel MOSFET 30 V, 0.68 mOhm |
товар відсутній |
||||||||||||||
| PSMNR67-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
PSMNR67-30YLEX SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
PSMNR67-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PSMNR67-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V |
товар відсутній |