на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 150.32 грн |
10+ | 123.61 грн |
100+ | 85.45 грн |
250+ | 78.78 грн |
500+ | 73.44 грн |
1500+ | 62.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR89-25YLEX Nexperia
Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 224W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMNR89-25YLEX за ціною від 108.3 грн до 202.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMNR89-25YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 224W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
PSMNR89-25YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 224W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V |
товар відсутній |