PSMNR90-30BL,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 135.91 грн |
| 1600+ | 112.06 грн |
| 2400+ | 105.52 грн |
| 5600+ | 95.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR90-30BL,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMNR90-30BL,118 за ціною від 101.63 грн до 244.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMNR90-30BL,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V |
на замовлення 10099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR90-30BL,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMNR90-30BL/SOT404/D2PAK |
на замовлення 8381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR90-30BL,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMNR90-30BL,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 243nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMNR90-30BL,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 243nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |