PSMNR98-25YLEX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 121.33 грн |
| 500+ | 92.49 грн |
| 1000+ | 78.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR98-25YLEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 255A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMNR98-25YLEX за ціною від 54.61 грн до 190.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR98-25YLEX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR98-25YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR98-25YLEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR98-25YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V |
товар відсутній |