PXP400-100QSJ

PXP400-100QSJ Nexperia USA Inc.


PXP400-100QS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.11 грн
6000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXP400-100QSJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm.

Інші пропозиції PXP400-100QSJ за ціною від 13.75 грн до 45.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PXP400-100QSJ PXP400-100QSJ Виробник : Nexperia USA Inc. PXP400-100QS.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 9343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.39 грн
10+ 35.36 грн
100+ 24.5 грн
500+ 19.21 грн
1000+ 16.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
PXP400-100QSJ PXP400-100QSJ Виробник : Nexperia PXP400_100QS-1853422.pdf MOSFET PXP400-100QS/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 40716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.41 грн
10+ 37.05 грн
100+ 23.25 грн
500+ 19.4 грн
1000+ 16.47 грн
3000+ 14.22 грн
6000+ 13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
PXP400-100QSJ PXP400-100QSJ Виробник : NEXPERIA PXP400-100QS.pdf Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PXP400-100QSJ PXP400-100QSJ Виробник : NEXPERIA PXP400-100QS.pdf Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PXP400-100QSJ Виробник : NEXPERIA pxp400-100qs.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.4A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товар відсутній