QH8KA4TCR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 53.65 грн |
| 500+ | 41.17 грн |
| 1000+ | 30.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8KA4TCR ROHM
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: TSMT, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, Dauer-Drainstrom Id: 9A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.5W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції QH8KA4TCR за ціною від 24.71 грн до 87.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8KA4TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QH8KA4TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET |
на замовлення 4563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QH8KA4TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: TSMT Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm Dauer-Drainstrom Id: 9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.5W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QH8KA4TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
QH8KA4TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| QH8KA4TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |