на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1032+ | 11.34 грн |
| 1080+ | 10.84 грн |
| 1090+ | 10.74 грн |
| 2000+ | 10.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5U17TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V.
Інші пропозиції QS5U17TR за ціною від 14.75 грн до 47.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS5U17TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS5U17TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS5U17TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS5U17TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V |
на замовлення 8691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS5U17TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 2A |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QS5U17-TR |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| QS5U17TR |
|
на замовлення 2140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
QS5U17TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Case: TSOT25 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 154mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
QS5U17TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Case: TSOT25 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 154mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |