Продукція > RENESAS > R1LV0816ABG-7SI#S0
R1LV0816ABG-7SI#S0

R1LV0816ABG-7SI#S0 Renesas


rej03c0393_r1lv0816abg_ds.pdf Виробник: Renesas
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 70ns 48-Pin TFBGA T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1LV0816ABG-7SI#S0 Renesas

Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5), Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції R1LV0816ABG-7SI#S0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R1LV0816ABG-7SI#S0 R1LV0816ABG-7SI#S0 Виробник : Renesas Electronics Corporation r1lv0816abg-5si-7si-datasheet Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній