R6006JNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 106.68 грн |
| 115+ | 101.9 грн |
| 250+ | 97.81 грн |
| 500+ | 90.91 грн |
| 1000+ | 81.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6006JNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції R6006JNXC7G за ціною від 77.05 грн до 206.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6006JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6006JNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6006JNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 euEccn: NLR Verlustleistung: 43 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |