R6009KNJTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 88.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6009KNJTL ROHM
Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6009KNJTL за ціною від 53.87 грн до 142.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6009KNJTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6009KNJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6009KNJTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6009KNJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
R6009KNJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 94W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
R6009KNJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 94W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |