R6009KNX Rohm Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 109.59 грн |
| 112+ | 104.69 грн |
| 250+ | 100.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6009KNX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6009KNX за ціною від 53.47 грн до 144.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6009KNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FMPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6009KNX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|