Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6009RND3TL1
R6009RND3TL1

R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor

r6009rnd3tl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6009RND3TL1 за ціною від 42.91 грн до 107.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor r6009rnd3tl1_e-3105123.pdf MOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.69 грн
5000+ 50.72 грн
10000+ 42.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.06 грн
10+ 92.58 грн
25+ 87.35 грн
100+ 69.84 грн
250+ 65.58 грн
500+ 57.38 грн
1000+ 46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009RND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+98.46 грн
130+ 89.76 грн
160+ 73.03 грн
200+ 65.85 грн
Мінімальне замовлення: 119
R6009RND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)