R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.76 грн |
| 10+ | 172.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 33A, Power dissipation: 124W, Gate charge: 22nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 11A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: TO252, On-state resistance: 720mΩ, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції R6011KND3TL1 за ціною від 87.02 грн до 221.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6011KND3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply. |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252 Mounting: SMD Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 124W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: TO252 On-state resistance: 720mΩ кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
R6011KND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252 Mounting: SMD Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 124W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: TO252 On-state resistance: 720mΩ |
товар відсутній |