Продукція > ROHM > R6018JNJGTL
R6018JNJGTL

R6018JNJGTL ROHM


2785920.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+175.86 грн
10+ 152.76 грн
25+ 149.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6018JNJGTL ROHM

Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 220W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції R6018JNJGTL за ціною від 122.89 грн до 294.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R6018JNJGTL R6018JNJGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+272.33 грн
10+ 219.83 грн
100+ 177.84 грн
500+ 148.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018JNJGTL R6018JNJGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+294.49 грн
10+ 244.45 грн
25+ 201.93 грн
100+ 172.04 грн
250+ 162.08 грн
500+ 152.78 грн
1000+ 122.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018JNJGTL R6018JNJGTL Виробник : ROHM 2785920.pdf Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6018JNJGTL R6018JNJGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товар відсутній