R6020ANJTL Rohm Semiconductor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 362.05 грн |
34+ | 346.49 грн |
50+ | 333.29 грн |
100+ | 310.48 грн |
250+ | 278.76 грн |
500+ | 260.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ANJTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6020ANJTL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
R6020ANJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
R6020ANJTL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN |
товар відсутній |