R6020ENXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 206.83 грн |
| 70+ | 167.24 грн |
| 100+ | 156.36 грн |
| 500+ | 133.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6020ENXC7G за ціною від 163.41 грн до 370.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6020ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6020ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6020ENXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6020ENXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V POWER MOSFET |
на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Gate charge: 60nC Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Gate charge: 60nC Case: TO220FP |
товар відсутній |