R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 347.78 грн |
| 10+ | 281.27 грн |
| 100+ | 227.54 грн |
| 500+ | 189.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 93W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6030JNZ4C13 за ціною від 351.7 грн до 838.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6030JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R6030JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6030JNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6030JNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 93W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R6030JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| R6030JNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 143mΩ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Gate charge: 74nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| R6030JNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 143mΩ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Gate charge: 74nC |
товар відсутній |