Продукція > RCD > RCD050N20TL

RCD050N20TL


RCD050N20.pdf Виробник:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCD050N20TL

Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 618mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RCD050N20TL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RCD050N20TL RCD050N20TL Виробник : Rohm Semiconductor RCD050N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 618mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товар відсутній
RCD050N20TL RCD050N20TL Виробник : ROHM Semiconductor rohms20865_1-2281499.pdf MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній