RD3P02BATTL1 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
MOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.05 грн |
| 10+ | 89.38 грн |
| 100+ | 60.18 грн |
| 500+ | 51.02 грн |
| 1000+ | 43.58 грн |
| 2500+ | 36.93 грн |
| 10000+ | 36.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3P02BATTL1 ROHM Semiconductor
MOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications..
Інші пропозиції RD3P02BATTL1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RD3P02BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |