~~6.jpg "RF4E110GNTR")
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.87 грн |
| 6000+ | 10.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E110GNTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: HUML2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm.
Інші пропозиції RF4E110GNTR за ціною від 9.81 грн до 43.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E110GNTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HUML2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E110GNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E110GNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V |
на замовлення 6586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E110GNTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 5183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E110GNTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HUML2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RF4E110GNTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 44A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RF4E110GNTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 44A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |