RF601BGE2DTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 58.17 грн |
500+ | 45.75 грн |
1000+ | 34.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF601BGE2DTL ROHM
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RF601BGE2DTL за ціною від 30.55 грн до 105.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RF601BGE2DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF601BGE2DTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 25ns rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 60A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 930mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF601BGE2DTL | Виробник : ROHM Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode |
на замовлення 2206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF601BGE2DTL | Виробник : Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Switching Si 200V 6A 25ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF601BGE2DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |