RFD16N05LSM9A ON Semiconductor
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD16N05LSM9A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції RFD16N05LSM9A за ціною від 26.72 грн до 102.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD16N05LSM9A | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFD16N05LSM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFD16N05LSM9A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V |
на замовлення 12469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFD16N05LSM9A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Power MOSFET |
на замовлення 16598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFD16N05LSM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RFD16N05LSM9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 16A Power dissipation: 60W Case: DPAK On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RFD16N05LSM9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 16A Power dissipation: 60W Case: DPAK On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|