Продукція > ONSEMI > RFD16N05SM9A
RFD16N05SM9A

RFD16N05SM9A onsemi

rfd16n05sm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD16N05SM9A onsemi

Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFD16N05SM9A за ціною від 33.01 грн до 90.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : onsemi rfd16n05sm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.05 грн
10+ 65.51 грн
100+ 50.94 грн
500+ 40.52 грн
1000+ 33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : onsemi / Fairchild RFD16N05SM_D-2319715.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.35 грн
10+ 72.86 грн
100+ 49.2 грн
500+ 41.73 грн
1000+ 33.98 грн
2500+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : ONSEMI RFD16N05SM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : ON Semiconductor rfd16n05sm.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Виробник : ONSEMI RFD16N05SM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній