RFD16N06LESM9A onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 53.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD16N06LESM9A onsemi
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції RFD16N06LESM9A за ціною від 50.76 грн до 142.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD16N06LESM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD16N06LESM9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD16N06LESM9A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 4862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD16N06LESM9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 407 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD16N06LESM9A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V Single |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFD16N06LESM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N06LESM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFD16N06LESM9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |