RFD3055SM Fairchild


RFD3055SM.pdf Виробник: Fairchild

на замовлення 10955 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD3055SM Fairchild

Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFD3055SM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFD3055SM Виробник : FAIRCHILD RFD3055SM.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFD3055SM Виробник : FAIRCHILD RFD3055SM.pdf 0836+ SOP
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFD3055SM Виробник : FAIRCHILD RFD3055SM.pdf TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFD3055SM Виробник : FAIRCHILD RFD3055SM.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFD3055SM RFD3055SM Виробник : ON Semiconductor rfd3055sm.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товар відсутній
RFD3055SM RFD3055SM Виробник : onsemi RFD3055SM.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товар відсутній