RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 42.69 грн |
| 298+ | 39.2 грн |
| 307+ | 38.03 грн |
| 500+ | 35.27 грн |
| 1000+ | 31.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN10BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.55V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції RFN10BGE6STL за ціною від 31.55 грн до 117.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFN10BGE6STL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RFN10BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFN10BGE6STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching Si 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFN10BGE6STL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RFN10BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFN10BGE6STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFN10BGE6STL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching SUPER FAST RECOVERY DIODE |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFN10BGE6STL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |