RGPR30BM40HRTL

RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor


rgpr30bm40-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT 430V 30A IGNITION TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
Supplier Device Package: TO-252
Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs
Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT 430V 30A IGNITION TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Supplier Device Package: TO-252, Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs, Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 125 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGPR30BM40HRTL за ціною від 48.96 грн до 124.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGPR30BM40HRTL RGPR30BM40HRTL Виробник : Rohm Semiconductor rgpr30bm40-e.pdf Description: IGBT 430V 30A IGNITION TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
Supplier Device Package: TO-252
Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs
Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.69 грн
10+ 92.72 грн
100+ 73.8 грн
500+ 58.6 грн
1000+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGPR30BM40HRTL RGPR30BM40HRTL Виробник : ROHM Semiconductor rgpr30bm40-e.pdf IGBT Transistors 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
на замовлення 13988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.77 грн
10+ 103.89 грн
100+ 71.74 грн
250+ 66.09 грн
500+ 60.51 грн
1000+ 51.81 грн
2500+ 48.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGPR30BM40HRTL
Код товару: 194391
rgpr30bm40-e.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
RGPR30BM40HRTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgpr30bm40-e.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGPR30BM40HRTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rgpr30bm40-e.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
товар відсутній