RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 236.52 грн |
| 53+ | 222.66 грн |
| 100+ | 221.67 грн |
| 200+ | 210.9 грн |
| 900+ | 189.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W.
Інші пропозиції RGS00TS65HRC11 за ціною від 266.98 грн до 441.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS00TS65HRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 50A Field Stop Trench IGBT. RGS00TS65HR is a highly reliable IGBT for automotive inverter, heater. |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGS00TS65HRC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS00TS65HRC11 - IGBT, 88 A, 1.65 V, 326 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGS00TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGS00TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W |
товар відсутній |