Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS80NL65HRBTL
RGS80NL65HRBTL

RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.56 грн
10+ 290.13 грн
25+ 274.28 грн
100+ 223.08 грн
250+ 211.64 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 77 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 288 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS80NL65HRBTL за ціною від 171.34 грн до 384.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGS80NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+269.02 грн
46+ 257.47 грн
50+ 247.66 грн
100+ 230.71 грн
250+ 207.14 грн
500+ 193.45 грн
1000+ 188.71 грн
Мінімальне замовлення: 44
RGS80NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+384.95 грн
36+ 326.57 грн
50+ 248.39 грн
100+ 238.57 грн
200+ 208.52 грн
500+ 175.59 грн
1000+ 171.34 грн
Мінімальне замовлення: 31
RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній