RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FLD 650V 14A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.51 грн |
| 10+ | 147.31 грн |
| 100+ | 119.19 грн |
| 500+ | 99.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220NFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RGT30TM65DGC9 за ціною від 86.35 грн до 211.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT30TM65DGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors RGT30TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welder. |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGT30TM65DGC9 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220NFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RGT30TM65DGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 16W Case: TO220NFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RGT30TM65DGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 16W Case: TO220NFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |