RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 233.84 грн |
| 52+ | 224.93 грн |
| 100+ | 217.3 грн |
| 250+ | 203.18 грн |
| 500+ | 183.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGT60TS65DGC13 за ціною від 183.01 грн до 722.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGT60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGT60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors TO247GE 650V TRNCH 30A |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|