RGTH60TS65DGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 208.45 грн |
| 59+ | 200.51 грн |
| 100+ | 193.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH60TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGTH60TS65DGC11 за ціною від 155.22 грн до 237.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH60TS65DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Current - Collector (Ic) (Max): 58 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGTH60TS65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench |
товар відсутній |