RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.96 грн |
| 6000+ | 5.61 грн |
| 9000+ | 4.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.
Інші пропозиції RHU002N06FRAT106 за ціною від 4.38 грн до 28.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RHU002N06FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RHU002N06FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
на замовлення 10558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V DRIVE NCH MOSFET |
на замовлення 4524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: UMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: UMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |