Продукція > RENESAS > RJH60D5BDPQ-E0#T2

RJH60D5BDPQ-E0#T2 Renesas


Виробник: Renesas
TO247-3/IGBT 600V 75A 200W RJH60D5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJH60D5BDPQ-E0#T2 Renesas

Description: IGBT TRENCH 600V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 37A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/130ns, Switching Energy: 400µJ (on), 810µJ (off), Test Condition: 300V, 37A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 78 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції RJH60D5BDPQ-E0#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJH60D5BDPQ-E0#T2 RJH60D5BDPQ-E0#T2 Виробник : Renesas Electronics Corporation Description: IGBT TRENCH 600V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 37A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/130ns
Switching Energy: 400µJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 300V, 37A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
RJH60D5BDPQ-E0#T2 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0794ej0300_rjh60d5bdp_DST_20130523-1999363.pdf IGBT Transistors IGBT
товар відсутній