RJK0660DPA-00#J5A

RJK0660DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation


rjk0660dpa-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+102.42 грн
6000+ 94.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0660DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Supplier Device Package: 8-WPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK0660DPA-00#J5A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK0660DPA-00#J5A RJK0660DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0346ej0300_rjk0660dpa_DST_20130409-2930870.pdf MOSFET Power MOSFET
товар відсутній