RJK0852DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 75.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0852DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK0852DPB-00#J5 за ціною від 72.06 грн до 168.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJK0852DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V |
на замовлення 5344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RJK0852DPB-00-J5 | Виробник : RENESAS |
на замовлення 3879 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
RJK0852DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET MOSFET |
товар відсутній |