RJK0853DPB-00#J5

RJK0853DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation


rjk0853dpb-datasheet?r=1342566 Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+88.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0853DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK0853DPB-00#J5 за ціною від 86.79 грн до 195.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK0853DPB-00#J5 RJK0853DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics RNCCS16923_1-2574860.pdf MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.5 грн
10+ 162 грн
25+ 132.85 грн
100+ 114.16 грн
250+ 108.15 грн
500+ 101.48 грн
1000+ 86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
RJK0853DPB-00#J5 RJK0853DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0853dpb-datasheet?r=1342566 Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)