RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7043+ | 1.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RK7002BMT116 за ціною від 1.26 грн до 17.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Power dissipation: 200/350mW Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 4040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Power dissipation: 200/350mW Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 4040 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 101785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 47502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
на замовлення 344075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 432112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RK7002BMT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|