RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 296.12 грн |
| 2000+ | 275.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit.
Інші пропозиції RMLV0816BGSB-4S2#HA0 за ціною від 263.15 грн до 454.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Виробник : Renesas Electronics |
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|